-
от 9 кГц до макс. 110 ГГцМаксимальная мощность 500 ВтТип-N, 3,5 мм, 2,4 мм, 1,85 мм, WR28, WR42, 24JS18000
-
от 800 нм до 1700 нм-70 дБм до +6 дБм,
от -50 дБм до +26 дБмOPM, VFL, LS и хранение данных -
9 кГц~8 ГГц
9 кГц~18 ГГц-98 дБцГц при 10 кГц
-90 дБсГц при 10 кГц-98 dBc/Hz@10kHz
-90 dBc/Hz@10kHz -
от 1 МГц до 20 ГГц
от 1 МГц до 26,5 ГГц
от 1 МГц до 40 ГГц
от 1 МГц до 50 ГГц-120 дБм до +10 дБм-110 dBc/Hz @10 kHz offset
(typ., 10 GHz carrier) -
13101550 нмНДLS
-
от 50 ГГц до 500 ГГц-140 дБмГц (мин.)от 50 ГГц до 500 ГГц.
-
от 9 кГц до 3 ГГцот -120 дБм до +10 дБм<-93 дБн/Гц при смещении 10 кГц (тип., несущая 1 ГГц)
-
СМ: 131014901550 нм
ММ: 8501300 нмNALS -
от 9 кГц до 6 ГГцот -120 дБм до +10 дБм<-98 дБн/Гц при смещении 10 кГц (тип., несущая 1 ГГц)
-
от 800 нм до 1700 нмNAOFI